IRFR1018ETRPBF
Số Phần:
IRFR1018ETRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17365 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFR1018ETRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFR1018ETRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFR1018ETRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFR1018ETRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.4 mOhm @ 47A, 10V
Điện cực phân tán (Max):110W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IRFR1018ETRPBFTR
SP001566962
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFR1018ETRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận