IXTY1R6N50D2
Số Phần:
IXTY1R6N50D2
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19752 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTY1R6N50D2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTY1R6N50D2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTY1R6N50D2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTY1R6N50D2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252, (D-Pak)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Điện cực phân tán (Max):100W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTY1R6N50D2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:645pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:23.7nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Depletion Mode
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):-
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận