JAN1N5190
Số Phần:
JAN1N5190
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
17645 Pieces
Bảng dữliệu:
JAN1N5190.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JAN1N5190, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN1N5190 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JAN1N5190 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.5V @ 9A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):600V
Gói thiết bị nhà cung cấp:Axial
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/420
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):400ns
Bao bì:Bulk
Gói / Case:B, Axial
Vài cái tên khác:1086-18769
1086-18769-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JAN1N5190
Mô tả mở rộng:Diode Standard 600V 3A Through Hole Axial
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:2µA @ 600V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):3A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận