Mua MIO1200-25E10 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
MIO1200-25E10
- Số Phần:
- MIO1200-25E10
- nhà chế tạo:
- IXYS Corporation
- Sự miêu tả:
- MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 15184 Pieces
- Bảng dữliệu:
- MIO1200-25E10.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho MIO1200-25E10, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MIO1200-25E10 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 2500V |
|---|---|
| VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 1200A |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | E10 |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | - |
| Gói / Case: | E10 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | No |
| gắn Loại: | Chassis Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | MIO1200-25E10 |
| Input Điện dung (Cies) @ VCE: | 186nF @ 25V |
| Đầu vào: | Standard |
| Loại IGBT: | NPT |
| Mô tả mở rộng: | IGBT Module NPT Single Switch 2500V 1200A Chassis Mount E10 |
| Sự miêu tả: | MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10 |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 120mA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 1200A |
| Cấu hình: | Single Switch |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho MIO1200-25E10
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
MIO1200-33E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 | Tin nhắn của bạn |
|
MIO1200-33E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1200A E11 | Tin nhắn của bạn |
 |
APT40GP90JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 64A 284W SOT227 | Tin nhắn của bạn |
 |
VS-GB400AH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK | Tin nhắn của bạn |
 |
CM300DY-12H | Powerex Inc. | IGBT MOD DUAL 600V 300A H SER | Tin nhắn của bạn |
|
MUBW50-12T8 | IXYS | MODULE IGBT CBI E3 | Tin nhắn của bạn |
|
VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | Tin nhắn của bạn |
 |
IRG7T300CH12B | Infineon Technologies | MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 | Tin nhắn của bạn |
 |
GHIS040A120S-A2 | Global Power Technologies Group | IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227 | Tin nhắn của bạn |
|
MKI100-12E8 | IXYS | MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog