MIO1200-33E11 - IXYS - Transitor - IGBTs - Các mô-đun MIO1200-33E11

MIO1200-33E11

Số Phần:: MIO1200-33E11

nhà chế tạo:: IXYS Corporation

Sự miêu tả:: IGBT MODULE SGL 1200A E11

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15962 Pieces

Bảng dữliệu:: MIO1200-33E11.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MIO1200-33E11, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MIO1200-33E11 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua MIO1200-33E11 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	3300V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	3.1V @ 15V, 1200A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	E11
Loạt:	-
Power - Max:	-
Gói / Case:	E11
Nhiệt độ hoạt động:	-40°C ~ 125°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	MIO1200-33E11
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	-
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	NPT
Mô tả mở rộng:	IGBT Module NPT Single Switch 3300V 1200A Chassis Mount E11
Sự miêu tả:	IGBT MODULE SGL 1200A E11
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	120mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	1200A
Cấu hình:	Single Switch
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho MIO1200-33E11

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
MWI25-12A7	IXYS	MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2	Tin nhắn của bạn
MIO1200-25E10	IXYS	MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10	Tin nhắn của bạn
MIO1200-33E10	IXYS	MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10	Tin nhắn của bạn
APTGLQ300H65G	Microsemi Corporation	PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6	Tin nhắn của bạn
IRGTI090U06	Infineon Technologies	IGBT MOD HALF BRIDGE 90A UFAST	Tin nhắn của bạn
FZ1000R12KF5NDSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1200V 1000A	Tin nhắn của bạn
APTGT200H60G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức