MMBT2484LT3G
MMBT2484LT3G
Số Phần:
MMBT2484LT3G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 60V 0.1A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14568 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBT2484LT3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBT2484LT3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBT2484LT3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBT2484LT3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:350mV @ 100µA, 1mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:225mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MMBT2484LT3G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 100mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS NPN 60V 0.1A SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:250 @ 1mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận