NE52418-A - CEL - Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF NE52418-A

NE52418-A

Số Phần:: NE52418-A

nhà chế tạo:: CEL (California Eastern Laboratories)

Sự miêu tả:: IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 17124 Pieces

Bảng dữliệu:: NE52418-A.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NE52418-A, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NE52418-A qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua NE52418-A với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	5V
Loại bóng bán dẫn:	NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:	4-Super Mini Mold
Loạt:	-
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Bulk
Gói / Case:	SC-82A, SOT-343
Nhiệt độ hoạt động:	125°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):	1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	NE52418-A
Lợi:	14dB ~ 16dB
Tần số - Transition:	-
Mô tả mở rộng:	RF Transistor NPN 5V 40mA 150mW Surface Mount 4-Super Mini Mold
Sự miêu tả:	IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	100 @ 3mA, 2V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	40mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho NE52418-A

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
TPR400	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 875W 30A 55CX1	Tin nhắn của bạn
NE52418-T1-A	CEL	IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI	Tin nhắn của bạn
BFS 360L6 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN 6V 35MA TSLP-6	Tin nhắn của bạn
AT-31033-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 16MA SOT-23	Tin nhắn của bạn
NE681M13-A	CEL	TRANSISTOR NPN 1GHZ M13	Tin nhắn của bạn
2SC4227-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Tin nhắn của bạn
BFP405E6327BTSA1	Infineon Technologies	TRANS NPN RF 4.5V SOT-343	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức