NSBC114TDP6T5G
NSBC114TDP6T5G
Số Phần:
NSBC114TDP6T5G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15087 Pieces
Bảng dữliệu:
NSBC114TDP6T5G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSBC114TDP6T5G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSBC114TDP6T5G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSBC114TDP6T5G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-963
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):-
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:339mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-963
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NSBC114TDP6T5G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Sự miêu tả:TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:160 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận