NSBC114TDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
Số Phần:
NSBC114TDXV6T1
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
13422 Pieces
Bảng dữliệu:
NSBC114TDXV6T1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSBC114TDXV6T1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSBC114TDXV6T1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSBC114TDXV6T1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-563
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):-
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:500mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:NSBC114TDXV6TOSCT
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NSBC114TDXV6T1
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Sự miêu tả:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:160 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận