NSS20101JT1G
NSS20101JT1G
Số Phần:
NSS20101JT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 20V 1A SC-89
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19595 Pieces
Bảng dữliệu:
NSS20101JT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSS20101JT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSS20101JT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSS20101JT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):20V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:220mV @ 100mA, 1A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-89-3
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-89, SOT-490
Vài cái tên khác:NSS20101JT1G-ND
NSS20101JT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:9 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NSS20101JT1G
Tần số - Transition:350MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 300mW Surface Mount SC-89-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 20V 1A SC-89
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 100mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận