NSS20600CF8T1G
NSS20600CF8T1G
Số Phần:
NSS20600CF8T1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 20V 6A 8-CHIPFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15737 Pieces
Bảng dữliệu:
NSS20600CF8T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSS20600CF8T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSS20600CF8T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSS20600CF8T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):20V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:200mV @ 400mA, 4A
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:ChipFET™
Loạt:-
Power - Max:830mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SMD, Flat Lead
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NSS20600CF8T1G
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 6A 100MHz 830mW Surface Mount ChipFET™
Sự miêu tả:TRANS PNP 20V 6A 8-CHIPFET
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:220 @ 1A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):6A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận