NTR5103NT1G
NTR5103NT1G
Số Phần:
NTR5103NT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14505 Pieces
Bảng dữliệu:
NTR5103NT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTR5103NT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTR5103NT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTR5103NT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):300mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:NTR5103NT1G-ND
NTR5103NT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTR5103NT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.81nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 260mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:260mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận