NTR5105PT1G
NTR5105PT1G
Số Phần:
NTR5105PT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12117 Pieces
Bảng dữliệu:
NTR5105PT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTR5105PT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTR5105PT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTR5105PT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 100mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):347mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTR5105PT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:30.3pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 60V 196mA (Ta) 347mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:196mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận