NVMD4N03R2G
Số Phần:
NVMD4N03R2G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14230 Pieces
Bảng dữliệu:
NVMD4N03R2G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVMD4N03R2G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVMD4N03R2G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVMD4N03R2G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SOIC
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 4A, 10V
Power - Max:2W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVMD4N03R2G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận