R6004KNJTL
Số Phần:
R6004KNJTL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 4A TO263-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13137 Pieces
Bảng dữliệu:
R6004KNJTL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho R6004KNJTL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho R6004KNJTL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua R6004KNJTL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-263
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:980 mOhm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):58W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:R6004KNJTLTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:R6004KNJTL
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10.2nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 4A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-263
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 4A TO263-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận