RSU002N06T106
RSU002N06T106
Số Phần:
RSU002N06T106
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12631 Pieces
Bảng dữliệu:
1.RSU002N06T106.pdf2.RSU002N06T106.pdf3.RSU002N06T106.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RSU002N06T106, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RSU002N06T106 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RSU002N06T106 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:UMT3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):200mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:RSU002N06T106-ND
RSU002N06T106TR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RSU002N06T106
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:15pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận