RUM003N02T2L
RUM003N02T2L
Số Phần:
RUM003N02T2L
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14560 Pieces
Bảng dữliệu:
RUM003N02T2L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RUM003N02T2L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RUM003N02T2L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RUM003N02T2L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:VMT3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 300mA, 4V
Điện cực phân tán (Max):150mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-723
Vài cái tên khác:RUM003N02T2LTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RUM003N02T2L
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận