SI1902DL-T1-E3
Số Phần:
SI1902DL-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13877 Pieces
Bảng dữliệu:
SI1902DL-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI1902DL-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI1902DL-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI1902DL-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-6 (SOT-363)
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Power - Max:270mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SI1902DL-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:660mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận