SI1905BDH-T1-E3
Số Phần:
SI1905BDH-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19410 Pieces
Bảng dữliệu:
SI1905BDH-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI1905BDH-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI1905BDH-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI1905BDH-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-6 (SOT-363)
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Power - Max:357mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI1905BDH-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:62pF @ 4V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
Loại FET:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):8V
Sự miêu tả:MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:630mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận