Mua SI2367DS-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±8V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | SOT-23-3 (TO-236) |
Loạt: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Điện cực phân tán (Max): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vài cái tên khác: | SI2367DS-T1-GE3-ND SI2367DS-T1-GE3TR SI2367DST1GE3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SI2367DS-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 561pF @ 10V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 8V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |