SI2369DS-T1-GE3
Số Phần:
SI2369DS-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18876 Pieces
Bảng dữliệu:
SI2369DS-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI2369DS-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI2369DS-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI2369DS-T1-GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-236
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:29 mOhm @ 5.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:SI2369DS-T1-GE3TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SI2369DS-T1-GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1295pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 30V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount TO-236
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:7.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận