SI8466EDB-T2-E1
SI8466EDB-T2-E1
Số Phần:
SI8466EDB-T2-E1
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13246 Pieces
Bảng dữliệu:
SI8466EDB-T2-E1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI8466EDB-T2-E1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI8466EDB-T2-E1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI8466EDB-T2-E1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
Vgs (Tối đa):±5V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:4-Microfoot
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:43 mOhm @ 2A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:4-UFBGA, WLCSP
Vài cái tên khác:SI8466EDB-T2-E1TR
SI8466EDBT2E1
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:24 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SI8466EDB-T2-E1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 4V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 8V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):8V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận