SPB04N50C3ATMA1
SPB04N50C3ATMA1
Số Phần:
SPB04N50C3ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13865 Pieces
Bảng dữliệu:
SPB04N50C3ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPB04N50C3ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPB04N50C3ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPB04N50C3ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 200µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3-2
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:950 mOhm @ 2.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SP000014477
SPB04N50C3
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3INTR-ND
SPB04N50C3XT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SPB04N50C3ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 560V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Xả để nguồn điện áp (Vdss):560V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận