SPB04N60C3
SPB04N60C3
Số Phần:
SPB04N60C3
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14242 Pieces
Bảng dữliệu:
SPB04N60C3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPB04N60C3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPB04N60C3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPB04N60C3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 200µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3-2
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:950 mOhm @ 2.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SP000013533
SPB04N60C3ATMA1
SPB04N60C3INTR
SPB04N60C3XT
SPB04N60C3XTINTR
SPB04N60C3XTINTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SPB04N60C3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận