SPP21N50C3XKSA1
SPP21N50C3XKSA1
Số Phần:
SPP21N50C3XKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17083 Pieces
Bảng dữliệu:
SPP21N50C3XKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SPP21N50C3XKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPP21N50C3XKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SPP21N50C3XKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220-3-1
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 13.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):208W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:SP000681066
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SPP21N50C3XKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận