Mua SQM120N03-1M5L_GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SQM120N03-1M5L_GE3
- Số Phần:
- SQM120N03-1M5L_GE3
- nhà chế tạo:
- Vishay / Siliconix
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 18916 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SQM120N03-1M5L_GE3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SQM120N03-1M5L_GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SQM120N03-1M5L_GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Tối đa): | ±20V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-263 |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 1.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 375W (Tc) |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vài cái tên khác: | SQM120N03-1M5L-GE3 SQM120N03-1M5L-GE3-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 18 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | SQM120N03-1M5L_GE3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 15605pF @ 15V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Mô tả mở rộng: | N-Channel 30V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 30V |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SQM120N03-1M5L_GE3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | Tin nhắn của bạn |
|
IRL1004STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
 |
PSMN015-100P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog