Mua SQM120P06-07L_GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
SQM120P06-07L_GE3
- Số Phần:
- SQM120P06-07L_GE3
- nhà chế tạo:
- Vishay / Siliconix
- Sự miêu tả:
- MOSFET P-CH 60V 120A TO263
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 13912 Pieces
- Bảng dữliệu:
- SQM120P06-07L_GE3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho SQM120P06-07L_GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SQM120P06-07L_GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Tối đa): | ±20V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-263 (D2Pak) |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 375W (Tc) |
| Bao bì: | Original-Reel® |
| Gói / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vài cái tên khác: | SQM120P06-07L_GE3DKR |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 18 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | SQM120P06-07L_GE3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 14280pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| Loại FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Mô tả mở rộng: | P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 60V |
| Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho SQM120P06-07L_GE3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFR110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | Tin nhắn của bạn |
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Tin nhắn của bạn |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
|
IRFR120TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
 |
BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | Tin nhắn của bạn |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
 |
IXTA1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | Tin nhắn của bạn |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog