SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3
Số Phần:
SQM60030E_GE3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13446 Pieces
Bảng dữliệu:
SQM60030E_GE3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SQM60030E_GE3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SQM60030E_GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SQM60030E_GE3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D²PAK (TO-263)
Loạt:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.2 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):375W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SQM60030E_GE3TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:SQM60030E_GE3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 80V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):80V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận