TK10A80W,S4X
TK10A80W,S4X
Số Phần:
TK10A80W,S4X
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14004 Pieces
Bảng dữliệu:
TK10A80W,S4X.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK10A80W,S4X, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK10A80W,S4X qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK10A80W,S4X với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 450µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220SIS
Loạt:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, VGS:550 mOhm @ 4.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):40W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:TK10A80W,S4X(S
TK10A80WS4X
Nhiệt độ hoạt động:150°C
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK10A80W,S4X
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 300V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 9.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận