TK42E12N1,S1X
TK42E12N1,S1X
Số Phần:
TK42E12N1,S1X
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N CH 120V 88A TO-220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17567 Pieces
Bảng dữliệu:
TK42E12N1,S1X.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK42E12N1,S1X, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK42E12N1,S1X qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK42E12N1,S1X với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220
Loạt:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:9.4 mOhm @ 21A, 10V
Điện cực phân tán (Max):140W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:TK42E12N1S1X
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:TK42E12N1,S1X
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 60V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 120V 88A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Xả để nguồn điện áp (Vdss):120V
Sự miêu tả:MOSFET N CH 120V 88A TO-220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:88A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận