TPCC8008(TE12L,QM)
TPCC8008(TE12L,QM)
Số Phần:
TPCC8008(TE12L,QM)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12789 Pieces
Bảng dữliệu:
1.TPCC8008(TE12L,QM).pdf2.TPCC8008(TE12L,QM).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TPCC8008(TE12L,QM), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPCC8008(TE12L,QM) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TPCC8008(TE12L,QM) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1A
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-TSON
Loạt:U-MOSIV
Rds On (Max) @ Id, VGS:6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):700mW (Ta), 30W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-VDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác:TPCC8008(TE12LQM)TR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:TPCC8008(TE12L,QM)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận