TPCC8065-H,LQ(S
Số Phần:
TPCC8065-H,LQ(S
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18931 Pieces
Bảng dữliệu:
1.TPCC8065-H,LQ(S.pdf2.TPCC8065-H,LQ(S.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TPCC8065-H,LQ(S, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPCC8065-H,LQ(S qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TPCC8065-H,LQ(S với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 200µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Loạt:U-MOSVII-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:11.4 mOhm @ 6.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):700mW (Ta), 18W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerVDFN
Vài cái tên khác:TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:TPCC8065-H,LQ(S
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 13A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận