TPW1R005PL,L1Q
TPW1R005PL,L1Q
Số Phần:
TPW1R005PL,L1Q
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12047 Pieces
Bảng dữliệu:
TPW1R005PL,L1Q.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TPW1R005PL,L1Q, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPW1R005PL,L1Q qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TPW1R005PL,L1Q với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Vgs (Tối đa):-
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-DSOP Advance
Loạt:U-MOSIX-H
Điện cực phân tán (Max):960mW (Ta), 170W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerWDFN
Vài cái tên khác:TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TPW1R005PL,L1Q
Loại FET:N-Channel
Mô tả mở rộng:N-Channel 45V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):45V
Sự miêu tả:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận