TK31N60W5,S1VF
TK31N60W5,S1VF
Số Phần:
TK31N60W5,S1VF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12895 Pieces
Bảng dữliệu:
TK31N60W5,S1VF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK31N60W5,S1VF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK31N60W5,S1VF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK31N60W5,S1VF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247
Loạt:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, VGS:99 mOhm @ 15.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):230W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:TK31N60W5,S1VF(S
TK31N60W5,S1VF-ND
TK31N60W5S1VF
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK31N60W5,S1VF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận